Samsung desarrolla un nuevo chip HBM3E 12H con capacidad récord para potenciar la IA
Samsung Electronics ha anunciado un nuevo chip de memoria de gran ancho de banda que tiene la “mayor capacidad” del sector. El gigante surcoreano afirma que el HBM3E 12H “aumenta la productividad en más de un 50%”.
Los proveedores de servicios de IA requieren cada vez más HBM de mayor capacidad, y nuestro nuevo producto HBM3E 12H se ha diseñado para satisfacer esta necesidad.
Esta nueva solución de memoria forma parte de nuestro compromiso de desarrollar tecnologías básicas para unidades HBM de alta pila y proporcionar liderazgo tecnológico en el mercado de almacenamiento de alta capacidad en la era de la IA
– Yongcheol Bae, Vicepresidente Ejecutivo de Productos de Memoria de Samsung Electronics.
Samsung Electronics es el mayor fabricante mundial de chips de memoria dinámica de acceso aleatorio utilizados en dispositivos de consumo como teléfonos inteligentes y ordenadores.
Los modelos generativos de IA, como ChatGPT de OpenAI, requieren un gran número de chips de memoria de alto rendimiento. Permiten a los modelos generativos de IA recordar detalles de conversaciones anteriores y preferencias del usuario para generar respuestas similares a las humanas.
Samsung ha dicho que ya ha empezado a suministrar muestras a los clientes, y la producción en masa de la HBM3E 12H está prevista para el primer semestre de 2024. En septiembre, Samsung firmó un acuerdo para suministrar a Nvidia sus chips de memoria de gran ancho de banda, informa CNBC.
El HBM3E 12H tiene una pila de 12 capas, pero utiliza una película no conductora de termocompresión avanzada que permite que los productos de 12 capas sean tan altos como los de 8 capas para cumplir los requisitos actuales de envasado de HBM. El resultado es un chip que contiene más capacidad en el mismo tamaño físico.
Samsung sigue reduciendo el grosor de su material NCF y ha logrado la separación entre chips más pequeña del sector, de siete micrómetros (µm), eliminando al mismo tiempo los huecos entre capas. Estos esfuerzos se tradujeron en un aumento de la densidad vertical de más del 20% en comparación con el HBM3 8H.
